7．　　CMOS-晶体三极管VT的接口

图7a是CMOS集成电路驱动晶体三极管的接口。晶体三极管VT采用共发射极形式连接R1是VT的负载电阻,R1是VT的基极偏流电阻,R1的大小由公式R1=(VOH-VBH)β/IL决定。式中IL为负载电流。使用时应先根据VL和IL来选定VC,然后估算IB(IB=IL/β)是否在CMOS集成电路的驱动能力之内。如超出,可换用β值更高的晶体三极管或达林顿管,如图7b所示。晶体三极管VT按IL选定,IB=IL/(β1*β2),电阻R1的取值为:R1=(VOH -1.4)/(IB + 1.4/R2),式中R2是为改善电路的开关特性而引入的,其值一般取为4〜10KΩ。



8．　　CMOS-发光二极管LED的接口

发光二极管(LED)具有高可靠性、低功耗、长寿命等多项重要特性。是与CMOS集成电路配合使用的最佳终端显示器件之一。发光效率较高的LED可由CMOS集成电路直接驱动,特别当VDD=10~18V时,绝大多数的LED能够有足够的亮度。应当说明,用CMOS集成电路驱动LED应串入限流电阻,因为当VDD=10V时,其输出短路电流可达20mA左右,若不加适当的限流保护,极易导致LED或CMOS集成电路损坏。图8a是CMOS集成电路输出低电平点亮LED的电路,电阻R可通过公式:R=(VDD-VOL-VLED)/ILED求出。图8b是CMOS集成电路输出高电平点亮LED的电路,电阻R的数值通过公式:R=(VOH-VLED)/ILED求出。式中VLED和分别是LED的工作电压和工作电流。



如果在低电源电压下工作的CMOS集成电路要驱动LED,或者使用负载能力较差的COOO系列CMOS集成电路驱动LED,均可能难以使LED发出足够明亮的光。解决办法是加一级晶体管驱动电路,以获得足够的驱动能力。　

9．　　CMOS-可控硅VS的接口

一般中、小功率可控硅的触发电流约在10mA以下,故多数CMOS集成电路能够直接驱动可控硅。具体电路如图9所示。若需要更大的驱动电流,可改为CMOS缓冲器(例如CC4041)或缓冲/驱动器(例如CC40107),也可加一级晶体三极管电路。